HVPE (수소화 기상 증착 장비)
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy): 금속(알루미늄, Al) 또는 반도체(Gallium, Ga, Indium, In)는 염산가스(HCl)와 반응하여 가스 상태의 염화갈륨(GaCl)을 생성한다.
반응 챔버로 보내진 다음 1000°C 이상에서 암모니아 가스(NH3)와 반응한다. 그 후, 사파이어의 표면에 질화물 화합물(AlN, GaN)이 성장된다.
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy): 금속(알루미늄, Al) 또는 반도체(Gallium, Ga, Indium, In)는 염산가스(HCl)와 반응하여 가스 상태의 염화갈륨(GaCl)을 생성한다.
반응 챔버로 보내진 다음 1000°C 이상에서 암모니아 가스(NH3)와 반응한다. 그 후, 사파이어의 표면에 질화물 화합물(AlN, GaN)이 성장된다.