2차전지, LED장비

HVPE (수소화 기상 증착 장비)

HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy): 금속(알루미늄, Al) 또는 반도체(Gallium, Ga, Indium, In)는 염산가스(HCl)와 반응하여 가스 상태의 염화갈륨(GaCl)을 생성한다.
반응 챔버로 보내진 다음 1000°C 이상에서 암모니아 가스(NH3)와 반응한다. 그 후, 사파이어의 표면에 질화물 화합물(AlN, GaN)이 성장된다.

HVPE기술의 특징


  • Flexible growth rates, from 1 ㎛/hour (for submicron layer control) to1000 ㎛/hour (for fast buffer layer growth)

  • Low defect density (from 105 to 108/cm2)

  • Wide range of layer thickness up to 100 ㎛

  • Cost effective templates for device manufacturing

  • P and N type doped materials are available

  • Low cost of ownership (No metal organics, and low usage rate for Gaseous reactant materials such as HCl and NH3)

  • Growth of novel materials (AlGaN/GaN, InGaN/GaN, InN and AlN))





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